در این مقاله، به رشد لایه‌های بلوری عایق KBr و بررسی پتانسیل الکترواستاتیک موضعی آن روی گرافن پرداخته شده است. KBr به عنوان بستری با ویژگی‌های عایق برای بررسی رفتارهای سطحی و الکترواستاتیکی روی مواد دوبعدی اهمیت دارد. روش تهیه نمونه‌ها بر پایه پرس پودر KBr و بخاردهی در دماهای مختلف انجام شده است. مطالعه ساختاری با میکروسکوپ نیروی اتمی و پراش پرتو ایکس، نشان‌دهنده تشکیل ساختار fcc و ایجاد پله‌های اتمی است. افزایش دما به زبری سطح و تغییر در فاصله و ارتفاع پله‌ها منجر می‌شود. بررسی‌ها نشان داد پتانسیل الکترواستاتیک در پله‌های اتمی قوی‌تر از سطوح صاف ظاهر می‌شود. همچنین تأثیر انتقال گرافن لایه‌نازک روی سطوح KBr دمای بالا و تغییر توزیع پتانسیل نیز بررسی شده است. این یافته‌ها در توسعه ابزارهای الکترونیکی و نانوساختارها کاربرد دارد. واژه‌های کلیدی مقاله شامل KBr، گرافن، میکروسکوپ نیروی اتمی و نیروهای الکترواستاتیک هستند.